SEMI E45 - 気相分解-全反射X線分光法 (VPD/TXRF),気相分解-原子吸収分光法(VPD/AAS),気相分解-誘導結合プラズマ質量分光法 (VPD/ICP-MS) を使用したミニエンバイロメントからの無機汚染分析のための試験方法 -

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Non-Member Price: $224.00

Volume(s): Equipment Automation Hardware
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
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Revision: SEMI E45-1101 (Reapproved 0307) - Inactive

Revision

Abstract

NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version.

免責事項: このSEMIスタンダードは,投票により作成された英語版が正式なものであり,日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます。

SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております(「すべきである」「しなければならない」について等)。

 

本スタンダードは, Metrics Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2001年8月27日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2001年9月にwww.semi.orgで。初版は1995年発行,前版は2001年3月発行。

 

NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status have not been met. Inactive Standards or Safety Guidelines are available from SEMI and continue to be valid for use.

 

本試験方法は,ミニエンバイロメントによる無機質汚染レベルを決めるための分析手順を提供するものである。

 

本文書は,無機不純物に関係する。これら不純物は,原子,分子またはパーティクルとして存在するかどうかにかかわらず,金属汚染物を含む。分析する金属の数は,実用的な観点からミニエンバイロメントを迅速に特性付けるためにナトリウム (Na),カルシウム (Ca),鉄 (Fe),銅 (Cu) の4種類に限定する。Na,Ca,Feは人体源 (Na),環境 (Ca) または装置と腐食作用 (Fe) からの汚染に関して非常に有害な不純物を代表するが,Cuは半導体製造において益々重要性を増しているため分析される。さらに,これら元素は,充分に低い検出限界で容易に分析できる。追加の元素を定量するのは,この試験方法の使用者次第である。回路およびデバイスに不適当なウェーハ表面金属汚染元素を表1 (SEMI M1に基づく) に示している。シリコンウェーハ表面の無機汚染は, VPDで収集される。

 

CaおよびFeの定量には,その検出限界が十分低いのでVPD/TXRFが使用される。NaおよびCuは,VPD-GFAASまたはVPD/ICP-MSで定量される。これらすべての分析方法は,表面清浄度の特性付けを行うために広く使用されている。

 

本測定技術は,ミニエンバイロメントに対するプロセスステップの影響をチェックするためにも使用できる。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI C28 — Specifications and Guidelines for Hydrofluoric Acid
SEMI C35 — Specifications and Guidelines for Nitric Acid
SEMI E19 — Standard Mechanical Interface (SMIF)
SEMI M1 — Specification for Polished Monocrystalline Silicon Wafers

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