SEMI M78 - 量産時における130nmから22nm世代のパターンなしシリコンウェーハ上のナノトポグラフィー決定に関するガイド -

Abstract

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年8月27日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年10月にwww.semi.orgで入手可能となる。

 

ウェーハ表表面の規定距離に亘る高さ変動は，選定された工程段階に許容できるウェーハを保証するために適切に制御される必要がある。ナノトポグラフィー要因は，2003年以来，国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）に組み込まれている。化学機械的平坦化(CMP)工程前のウェーハ表面ナノトポグラフィーは，回路性能，工程原価や歩留に負の帰結の可能性を持つCMP後の膜厚変動を生ずる。ナノトポグラフィー特性は，ある領域内の高さ変動により特徴付けられ，その空間波長領域により同様な高さの他の特性から区別される。裏表面ナノトポグラフィーも選定された工程段階のウェーハ適性に影響を与える。このガイドは，ナノトポグラフィーの表または裏表面測定のどちらにでも適用できる。

 

このガイドは，手順とナノトポロジーデータを生成する際に，異なる可能性の選択肢を選ぶための決定系図(図 1)を備えている。この計算に使われる重要な選択肢は，報告されたデータを規定するために明記される。このガイドは，シリコンウェーハの交易のために使用することを意図するものであり，選択肢のより広い範囲やデータ報告形式が適切になる工程開発を意図するものではない。

　

Referenced SEMI Standards

SEMI M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M43 — Guide for Reporting Wafer Nanotopography
SEMI M49 — Guide for Specifying Geometry Measurement Equipment for Silicon Wafers for the 130 nm to 22 nm Technology Generations
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M43 — Guide for Reporting Wafer Nanotopography
SEMI M49 — Guide for Specifying Geometry Measurement Equipment for Silicon Wafers for the 130 nm to 22 nm Technology Generations
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology

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