PV00900 - SEMI PV9 - 短時間光パルス照射後のマイクロ波反射率の非接触測定による，PVシリコン材料の過剰キャリア減衰（ライフタイム）試験方法

SEMI PV9 - 短時間光パルス照射後のマイクロ波反射率の非接触測定による，PVシリコン材料の過剰キャリア減衰（ライフタイム）試験方法 -

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Volume(s): Photovoltaic
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
SEMI Standards Copyright Policy/License Agreements

Revision: SEMI PV9-0611 - Superseded

Revision

Abstract

本スタンダードは，global Photovoltaic Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年5月13日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2011年6月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は2010年10月発行。

 

半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。

 

この試験法は，各種の単結晶，多結晶ウェーハ，ブリック，およびインゴットの減衰時間を測定する手順を取り扱う。本試験法はマイクロ波光導電減衰法((m -PCD)に基づくもので，光励起後の導電率の減衰を光照射により発生した過剰キャリアの減衰時間で測定する。

　

Referenced SEMI Standards

SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology

SEMI MF42 — Test Methods for Conductivity Type of Extrinsic Semiconducting Materials

SEMI MF43 — Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials

SEMI MF84 — Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers With an In-Line Four-Point Probe

SEMI MF533 — Test Method for Thickness and Thickness Variation of Silicon Wafers

SEMI MF673 — Test Methods for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Non-contact Eddy-Current Gage

SEMI MF723 — Practice for Conversion Between Resistivity and Dopant Density for Boron-Doped, Phosphorus-Doped, and Arsenic-Doped Silicon

SEMI MF978 — Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniques

SEMI MF1530 — Test Method for Flatness, Thickness, and Thickness Variation of Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning

SEMI MF1535 — Test Method for Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers by Non-Contact Measurement of Photoconductivity Decay by Microwave Reflectance

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