SEMI E135 - 半導体処理装置の高周波(RF)電力供給システムの過渡応答を決定するためのRF発振器のテスト方法 -
Abstract
本スタンダードは,global Metrics Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年12月24日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2012年5月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は2004年7月発行。
注意: 本文書は,編集上の修正を伴い,再承認された。
本文書の目的は,半導体処理装置の高周波(RF)電力供給システムに使われるRF発振器の過渡応答を決定するテスト方法を定義し,SEMI E113をサポートすることである。
本文書では,公称50 Ωの負荷で動作するRF発振器の過渡応答を,電力を要求した時点から(RFイネーブル信号等)RF出力信号が起動あるいは停止するまでの遅延時間も含め,設定値レベルの変化の関数として決定するために必要なテスト手順およびテスト装置を指定する。
本文書の主な対象は,次のタイプの装置を含み,かつそれらに限定されない半導体処理装置である。
- ドライエッチング装置
- 膜堆積装置(CVDとPVD)
Referenced SEMI Standards
SEMI E113 — Specification for Semiconductor Processing Equipment RF Power Delivery Systems
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