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SEMI E143 - 50Ωの負荷に対する出力変動の測定およびすべての位相角において電圧定在波比が2.0の負荷に対する出力変動とスペクトルを測定するための試験方法 -
Abstract
NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version.
免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
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本スタンダードは，Metrics Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年12月24日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2012年5月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は2006年3月発行。
注意: 本文書は，編集上の修正を伴い，再承認された。
本試験方法の目的は，SEMI E113をサポートし，高周波 (RF) 電力供給装置における実際の動作をシミュレーションするために，整合および不整合負荷の両者に対して駆動されている半導体処理装置用RF発生器の出力電力とスペクトル詳細を測定する正確な手段を提供することである。
本試験方法は，RF発生器の出力電力およびスペクトル変動を正確に決定するために必要な試験手順および試験機器を明記する。本試験方法ではスペクトル・アナライザ，電力計，信号サンプリング装置を使用し，これらすべてはメーカーが推奨する適切な手法によって事前に較正されているものとする。また，本試験方法はRF発生器の主な性能特性3種の正当性の立証に使用して以下のSEMI E113仕様をサポートするためのものである。
本試験方法は，RF発生器を整合負荷 (50 Ω)で動作させた場合に，要求電力レベルの ±1% 未満の偏差で一貫した電力 (長期間，および定常ウェーハ処理条件において) を提供することを確認するために使用する。
本試験方法は，RF発生器を最大定格出力電力の10%から100%というあらゆる位相角において反射係数が0.33以上 (VSWRが2.0以上) である負荷インピーダンスで動作させた場合に，要求電力レベルの±1.5%未満の偏差で一貫した電力(長期間，および定常ウェーハ処理条件において)を提供することを確認するために使用される。
本試験方法は，最大定格出力電力の10%から100%というあらゆる位相角において反射係数が0.33以上 (VSWRが2.0以上) である負荷インピーダンスで動作させた場合に，単一または固定周波数出力を提供するRF発生器が −40 dB 以下の出力電力高調波またはスプリアス・スペクトル詳細を提供することを確認するために使用する。
本試験方法は，以下の2つの条件が満たされ理解されている場合には，可変または複数周波数出力のRF発生器に対する出力電力高調波やスプリアス・スペクトルの確認にも使用可能である。
可変周波数RF発生器は，本試験で妥当な結果を得るために単一の固定周波数モードにしなければならない。
可変周波数RF発生器の出力電力高調波またはスプリアス・スペクトルは，通常固定周波数RF発生器に対する −40 dB の要件よりも高くなる。
本試験手法の主な焦点は半導体処理装置であり以下の装置種を含むが，これに限定されるものではない。
• ドライエッチ装置
• 膜蒸着装置 (CVDとPVD)
Referenced SEMI Standards
SEMI E113 — Specification for Semiconductor Processing Equipment RF Power Delivery Systems
SEMI E114 — Test Method for RF Cable Assemblies Used in Semiconductor Processing Equipment RF Power Delivery Systems
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