SEMI E163 - 特別に指定されたエリア内のレチクルおよびその他の静電気超敏感性(EES:EXTREMELY ELECTROSTATIC SENSITIVE)アイテムの取り扱いのためのガイド

Volume(s): Equipment Automation Hardware
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Metrics Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は20111224日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。20122月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。

 

この文書の目的は,半導体製造装置と施設での静電荷と電界によって引き起こされる生産性に対する悪影響を最小最小限にすることである。静電荷,電圧および電界に対し超静電気敏感性(EES)を有するレチクルとその他のアイテムのために取り扱い環境での最適な静電気両立性を確立するためのガイドである。このガイドはSEMI E78 およびSEMI E129 を補足して,静電気により最も損傷を受けやすいアイテムの保護方法を改善することを意図している。

 

この文書は,レチクルおよびその他のEESアイテムを使用,あるいは生産する人員へのガイドとして,装置の設計からテストまでの期間に装置製造業者のために使用することが出来る。

 

半導体と電子デバイスの製造者で用いる製造技術は,高密度化および高複雑化の方向に進化し続けている。高集積化,内部接続の高階層化および素子間・導体間分離の微細化にともなって,電界に起因する問題に対する敏感性は増加している。この文書は,既存の静電気電荷の移動技術に加え,電界に関するより緻密な調査を通じて損傷問題に取り組むための推奨事項を提供している。

 

この文書の適用範囲は,特別に指定された管理環境およびその環境内で維持するべき電界の適切なレベルの推奨範囲内で取り扱うレチクルおよびその他のEESアイテムの基本的な定義に制限されている。

 

この文書では,このガイダンスは特別に指定されて明確に識別された領域でのみ適用されるため,すでに確立された静電気電荷制御方法(例えば,HBM敏感性100VのデバイスのためのANSI/ESD S20.20の規定など)と矛盾する接地方法と材料選定についての推奨事項を紹介している。

 

この文書では,SEMI E78SEMI E129SEMI E43とその他の静電気パラメータの測定方法を参照している。これらの文書は,広範囲の条件下での静電気リスクの異なった側面を管理するためのガイダンスを提供する補足的なものである。

 

この文書では,静電界とその影響について頻繁に言及をする一方,このガイドの目的としては,交流成分を含み可変で過渡的な電界と電磁界を含んでいることについて考慮するとよい。このようなすべての電界がEESアイテム内に潜在的に電気的ストレスを発生させることがあり得る。

 

この文書でレチクルに言及している場合には,深く掘り下げて説明するために使われているEESアイテムの例と見なすとよい。このガイダンスで論じられている原理は,レチクルとレチクルの取り扱いのためだけであると見なさない方がよい。このようなEESアイテムとしては,ウェーハ上に形成された小型のデバイス,デバイス帯電モデル(CDM)敏感性が問題となるバックエンド工程(例えば,テスト工程)での封止型のデバイス,および平面パネル型ディスプレィ(FPD)製造でのガラス基板上のデバイスが含まれる。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI E43 — Recommended Practice for Electrostatic Measurements on Objects and Surfaces
SEMI E78 — Guide to Assess and Control Electrostatic Discharge (ESD) and Electrostatic Attraction (ESA) for Equipment
SEMI E129 — Guide to Assess and Control Electrostatic Charge in a Semiconductor Manufacturing Facility

Member Price: $135.00
Regular price Non-Member Price: $180.00