SEMI M20 - ウェーハ座標システムの確立の作業方法

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

作業方法は,Global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されたもので,North American Silicon Wafer Committeeが直接責任を負うものである。現版は2004816日North American Regional Standards Committeeにて承認されている。20049月にまずwww.semi.orgで入手可能になり,200411月発行に至る。初版は1991年発行,前版は2004年発行。

先端デバイス製造に現在用いられているプロセスシステムはプロセスの前にウェーハを回転させ,x-y位置付けをするためのアライメント機構を使用している。これらの多くは,ウェーハ周辺部を走査し,ウェーハ表面の幾何学的中心を決めている。これは多種のアライナーを混用するファブにおいてウェーハ間直径バラツキの影響を最小化するために,ステッピングアラアイナーに最も多く見られることである。同様の中心基準のサブシステムが多くの特性評価システムに見られる。ウェーハの座標システムは,サイト,パターン,またはマッピング配置の様な他の座標システムがウェーハ表面の物理的位置を参照する方法を提供する。

もしアレイの点がウェーハのフロント表面上にある場合には,唯一xおよびy(またはrおよびq)座標が適切である。半導体材料およびデバイス製造において,自動プロセシング,テスト,または評価設備がウェーハ上の位置の認識ないし位置決めをするためのウェーハ上の位置を,曖昧さを排除して記述することがますます重要になってきている。例えば,評価装置は,プロセッシングの前あるいは後で発見される欠陥や異常部の有無とデバイス歩留まりバラツキとの関連付けのため,ウェーハ上に認められる欠陥や異常部の正確な位置を報告する必要がある。ウェーハ座標システムは,注目する各点の座標位置を確立するために,そして歩留まり解析座標システムへの変換により,ダイ歩留まりマップに対応させるのに用いることが出来る。

これらの要望に応えるため,本方法はウェーハ表面上の点を正確に位置決めし,報告することを促進させるためのウェーハ座標システムを定義している。各点がウェーハ表面上または下面に存在する場合には,z座標もまた使用されなければならない。z軸上のゼロ点はアプリケーションに特有なので,本方法はx-y-z(またはr-q-z)系は表面座標システムから切り離して取り扱う。

Referenced SEMI Standards

SEMI E5 — SEMI Equipment Communications Standard 2 Message Content (SECS-II)
SEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon Wafers
SEMI M12 — Specifications for Serial Alphanumeric Marking of the Front Surface of Wafers

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