SEMI M20 - ウェーハ座標システムの確立の作業方法 -

Abstract

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先端デバイス製造に現在用いられているプロセスシステムはプロセスの前にウェーハを回転させ，x-y位置付けをするためのアライメント機構を使用している。これらの多くは，ウェーハ周辺部を走査し，ウェーハ表面の幾何学的中心を決めている。これは多種のアライナーを混用するファブにおいてウェーハ間直径バラツキの影響を最小化するために，ステッピングアラアイナーに最も多く見られることである。同様の中心基準のサブシステムが多くの特性評価システムに見られる。ウェーハの座標システムは，サイト，パターン，またはマッピング配置の様な他の座標システムがウェーハ表面の物理的位置を参照する方法を提供する。

 

もしアレイの点がウェーハのフロント表面上にある場合には，唯一xおよびy（またはrおよびq）座標が適切である。半導体材料およびデバイス製造において，自動プロセシング，テスト，または評価設備がウェーハ上の位置の認識ないし位置決めをするためのウェーハ上の位置を，曖昧さを排除して記述することがますます重要になってきている。例えば，評価装置は，プロセッシングの前あるいは後で発見される欠陥や異常部の有無とデバイス歩留まりバラツキとの関連付けのため，ウェーハ上に認められる欠陥や異常部の正確な位置を報告する必要がある。ウェーハ座標システムは，注目する各点の座標位置を確立するために，そして歩留まり解析座標システムへの変換により，ダイ歩留まりマップに対応させるのに用いることが出来る。

 

これらの要望に応えるため，本方法はウェーハ表面上の点を正確に位置決めし，報告することを促進させるためのウェーハ座標システムを定義している。各点がウェーハ表面上または下面に存在する場合には，z座標もまた使用されなければならない。z軸上のゼロ点はアプリケーションに特有なので，本方法はx-y-z（またはr-q-z）系は表面座標システムから切り離して取り扱う。

 

本方法は，ウェーハ上の何れの点をも，ウェーハ中心を原点とし，デカルト座標（x-y）または極（r-q）座標を用い，唯一の点に位置付けるウェーハ座標システムを定義する手順を提供している。

 

パターンが描かれていないウェーハに対しては，このウェーハ座標システムは直接に，または直角座標や極座標形式のオーバーレイアウトとともに使用することができる。

 

このウェーハ座標システムは，さらに，原点を位置付けたり，他の座標システムの基準点を位置付けたりするのに使用することができる。他の座標システムは，パターンが描かれたウェーハまたは描かれていないウェーハの前面または裏面上にサイト，ダイ，またはマップアレイの位置データを定義したり報告したりするのに用いられる。このような方法で，アレイ座標システムは，ウェーハの物理的外形の基準となることができる。ウェーハ座標システムのアプリケーションの選ばれたモードが関連情報1 に情報としてのみ記載されている。

 

本方法は，またウェーハに対し三次元 x-y-z （または r-q-z）座標システムを定義する手順を提供している。

 

Referenced SEMI Standards (purchase separately)

SEMI E5 — Specification for SEMI Equipment Communications Standard 2 Message Content (SECS-II)

SEMI M1 — Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers

SEMI M12 — Specification for Serial Alphanumeric Marking of the Front Surface of Wafers

SEMI M13 — Specification for Alphanumeric Marking of Silicon Wafers

SEMI M17 — Guide for a Universal Wafer Grid

SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology

 

Revision History

SEMI M20-1110 (technical revision)

SEMI M20-1104 (technical revision)

SEMI M20-0704 (technical revision)

SEMI M20-0998 (technical revision)

SEMI M20-92 (technical revision)

SEMI M20-91 (first published)

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