M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法

SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法 -

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Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
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Revision: SEMI M50-0310 - Superseded

Revision

Abstract

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年1月20日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年2月にwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2001年11月発行，前版は2009年11月に発行された。

SEMI M52は，130nmから45nmまでの技術世代に用いられる走査型表面検査システム（SSIS）に求められる捕獲率（CR：Capture rateキャプチャレート）に適合した要求について規定する。

本試験方法は，局所的光散乱（LLSs）量を等価光散乱サイズに換算する機能を持った，走査型表面検査システム（SSIS）の捕獲率（CR），偽計数率（FCR）および累積的偽計数率（CFCR）を決定することをカバーする。

Referenced SEMI Standards

SEMI E89 — Guide for Measurement System Analysis (MSA)
SEMI M1 — Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M52 — Guide for Specifying Scanning Surface Inspection Systems for Silicon Wafers for the 130 nm, 90 nm, 65 nm, and 45 nm Technology

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