SEMI M52 - 130 nm,90nm,65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2006年11月21日および2007年1月18日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2007年2月にwww.semi.orgで，そして2007年3月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2002年11月発行，前版は2006年7月に発行された。

本ガイドは130，90，65，および45 nm技術世代における走査型表面検査装置（Scanning Surface Inspection Systems（SSIS））の推薦仕様を提供するものである。シリコン上の局所光散乱（localized light scatterers （LLS））の数と大きさはシリコンウェーハの顧客によって指定され，検査証明書（Certificates of Compliance）に含まれる。シリコンウェーハサプライヤやその顧客は，これらのパラメータを，異なるメーカーの測定システムを使用するか，あるいは同じサプライヤでも異なる世代の測定システムを使用して測定することがある。したがって，そのような測定システムの種々の状況を標準化することにより，データ交換やデータ解釈を容易にし，適切な測定システムの調達を可能とすることができる。

SEMI E1.9 — Mechanical Specification for Cassettes Used to Transport and Store 300 mm Wafers
SEMI E5 — SEMI Equipment Communications Standard 2 Message Content (SECS-II)
SEMI E10 — Specification for Definition and Measurement of Equipment Reliability, Availability