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SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上に証明済み手法で付着した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査システム較正の作業方法 -
Abstract
NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version.
免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
本スタンダードは，Silicon Wafer Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年1月20日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年2月にwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2003年3月発行，前版は2009年11月に発行された。
この作業方法では，パターンのない鏡面，エピタキシャル，薄膜生成された半導体表面上に付着されたPSL（ポリスチレンラテックス）粒子のサイズを走査型表面検査システム（以下SSIS）が正確に決定できるように，SSISの暗視野検出器チャンネルの較正について記述する。
本較正の目的は，製造者およびモデルの異なるSSISが特定の局所光散乱体（LLS）に同じ光散乱強度の等価光散乱 (LSE) 直径を割り当てることを，保証することである。
この作業方法は，材質同定，真の寸法，形態が未知の実表面欠陥を報告する手段として，SEMI M59に規定されたように，LSE直径の使用を定義する。
この作業方法では，SSISの性能を定量化するための基礎を提供する。また，SSIS性能定量化は，関連スタンダードの中で例えば感度，再現性，キャプチャレート等に影響するパラメータとして関係している。
この作業方法では，次の事項を取り扱う。
標準粒子が付着される較正基準半導体ウェーハの表面およびその他の特性に対する要求条件 (¶ 8.1参照）。
標準粒子付着に適した標準粒子のサイズ分布要求条件も含め，SSISを較正するための標準粒子の適切で証明済み付着の選択。ただし，付着手法は含まれない (¶ 8.2参照）。
応答曲線の変動があるが故に単調ではない，モデルで予測した散乱データを使用した較正曲線の生成。
モデルで予測した散乱データを使用した単調な較正曲線の生成。
これは，主としてSEMI M1で指定されている幾何学的特性を有する研磨シリコンウェーハ局所的光散乱体 (LLS) の検出に使用されるSSISの較正に使用するために開発されたが，適切な基準ウェーハが採用されるという条件で，この作業方法はパターンのない他の半導体表面のLLSの検出に使用されるSSISにも適用できる。
この作業方法は，LSE値を使用してPSL球以外のLLSのサイズを決定する方法を定義する意図はまったくない (¶ 3.1を参照）。
この作業方法は，SEMI M52に記載されている要求条件をサポートする。
付属書1では，限定された生産用途に使用できるシングルポイント較正について説明するが，SEMI M52に記載されている要求条件はサポートしていない。
付属書2ではPSLではない標準粒子の屈折率を決める方法について説明している。
Referenced SEMI Standards
SEMI M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M12 — Specification for Serial Alphanumeric Marking of the Front Surface of Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M50 — Test Method for Determining Capture Rate and False Count Rate for Surface Scanning Inspection Systems by the Overlay Method
SEMI M52 — Guide for Specifying Scanning Surface Inspection Systems for Silicon Wafers for the 130 nm, 90 nm, 65 nm, and 45 nm Technology Generations
SEMI M58 — Test Method for Evaluating DMA Based Particle Deposition Systems and Processes
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
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