SEMI M54 - 半絶縁性(SI)GaAs材料のパラメータのガイド

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は2011513日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。20116月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は20033月発行。前版は20043月発行。

 

注意: 本文書は,編集上の修正を伴い再承認された。

 

高性能なデジタルおよびアナログのマイクロ電子デバイスや回路を製作するには高い電気抵抗率と電子ドリフト移動度の基板が必要である。半絶縁性n型のガリウムヒ素(以降SI GaAsと記す)は,そのような用途に望ましい基板として世界中で認められてきた。

 

デバイスに必要な活性な層は,イオンインプランテーションやエピタキシーによって生成される。これらの層の品質およびそれによるデバイスの性能,歩留まり,信頼性は,基板のバルク品質および表面品質に強く依存している。

 

本文書では,サプライヤと購入者の間の発注に関する合意をサポートするためにSI GaAsの材料パラメータを指定するための基礎を提供する。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M9 — Specifications for Polished Monocrystalline Gallium Arsenide Slices
SEMI M10 — Standard Nomenclature for Identification of Structures and Features Seen on Gallium Arsenide
SEMI M15 — Polished Wafer Defect Limits Table for Polished Gallium Arsenide

Member Price: $135.00
Regular price Non-Member Price: $180.00