SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Silicon Wafer Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2012221日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。20126月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は20057月発行。

 

シリコンエピタキシャルウェーハの中には,エピタキシャル層の下に埋め込み層が形成されているものがある。 本仕様はそのような埋め込み層付きのエピタキシャルウェーハの特性について規定するものである。

 

本仕様書はフォトリソグラフィ,埋め込み層,およびエピタキシャル層形成後の埋め込み層パターンに関連する埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの特性を規定している。

 

本仕様書はそれぞれ基板とエピタキシャル層の特性を規定している鏡面単結晶ウェーハの仕様(SEMI M1),およびディスクリートデバイスアプリケーション向けのシリコンエピタキシャルウェーハ仕様(SEMI M2)と共に使用する。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M2 — Specifications for Silicon Epitaxial Wafers for Discrete Device Applications
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
SEMI MF26 — Test Methods for Determining the Orientation of a Semiconductive Single Crystal

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