SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年1月2日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年2月にwww.semi.orgで,そして2009年3月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2005年11月発行,前版は2007年11月に発行された。

 

エピタキシャルシリコンウェーハは,多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。共通のプロセス装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするためには,エピタキシャルウェーハの寸法を標準化することが不可欠である。

 

さらに,高密度の集積回路のエレメントの寸法をますます小さくするためのテクノロジの進歩につれ,エピタキシャルウェーハの特性をさらに標準化することに関心が集まってきている。

 

これらの仕様では,ディスクリート半導体デバイスの製造業者および集積回路デバイスの製造業者の両者のためのシリコンエピタキシャルウェーハの例を定義し,記載する。検査手順および検収判定基準を定義することにより,サプライヤとその顧客は両者とも製品の特性と品質の要求条件を変わりなく定義できる。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon Wafers
SEMI M17 — Guide for a Universal Wafer Grid
SEMI M18 — Guider for Developing Specification Forms for Order Entry of Silicon Wafers
SEMI M33 — Test Method for the Determination of Residual Surface Contamination on Silicon Wafers by Means of Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectroscopy (TXRF)
SEMI M35 — Guide for Developing Specifications for Silicon Wafer Surface Features Detected by Automated Inspection
SEMI M43 — Guide for Reporting Wafer Nanotopography
SEMI M44 — Guide for Conversion Factors for Interstitial Oxygen in Silicon
SEMI M45 — Provisional Specification for 300-mm Wafer Shipping System
SEMI M53 — Practice for Calibrating Scanning Surface Inspection Systems Using Depositions of Monodisperse Polystyrene Latex Sphere on Unpatterned Semiconductor Wafer Surfaces
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
SEMI MF95 — Test Method for Thickness of Epitaxial Layers of Silicon on Substrates of the Same Type by Infrared Reflectance
SEMI MF110 — Test Method for Thickness of Epitaxial or Diffused Layers in Silicon by the Angle Lapping and Staining Technique
SEMI MF154 — Guide for Identification of Structures and Contaminants Seen on Specular Silicon Surfaces
SEMI MF374 — Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial Layers Using an Inline Four-Point Probe with the Single Configuration
SEMI MF398 — Test Method for Majority Carrier Concentration in Semiconductors by Measurement of Wavelength of the Plasma Resonance Minimum
SEMI MF523 — Practice for Unaided Visual Inspection of Polished Silicon Slices
SEMI MF525 — Measuring Resistivity of Silicon Wafers Using a Spreading Resistance Probe
SEMI MF534 — Test Method for Bow of Silicon Wafers
SEMI MF657 — Test Method for Measuring Warp and Total Thickness Variation on Silicon Wafers by Noncontact Scanning
SEMI MF672 — Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe
SEMI MF723 — Practice for Conversion between Resistivity and Dopant Density for Boron-Doped and Phosphorus-Doped Silicon
SEMI MF1390 — Test Method for Measuring Warp on Silicon Wafers by Automated Non-contact Scanning
SEMI MF1392 — Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Wafers by Capacitance-Voltage Measurements with a Mercury Probe
SEMI MF1451 — Test Method for Measuring Sori on Silicon Wafers by Automated Non-contact Scanning
SEMI MF1530 — Test Method for Measuring Flatness, Thickness, and Total Thickness Variation on Silicon Wafers by Automated Non-contact Scanning
SEMI MF1617 — Test Method for Measuring Surface Sodium, Aluminum, Potassium, and Iron on Silicon and Epi Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry
SEMI MF1726 — Practice for Analysis of Crystallographic Perfection of Silicon Wafers
SEMI T3 — Specification for Wafer Box Labels

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