SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁(SI)ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本試験方法は,global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は20051129日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2006年1月にwww.semi.orgで,そして2006年3月にCD-ROMで入手可能となる。

 

本文書の目的は,赤外線吸収法によってSI GaAs内の深いドナーEL2の濃度を測定する方法を指定することである。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M39 — Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Semi-Insulating GaAs Single Crystals

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