M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法

SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法 -

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Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
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Revision: SEMI M64-0306 - Superseded

Revision

Abstract

本試験方法は，global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は2005年11月29日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2006年1月にwww.semi.orgで，そして2006年3月にCD-ROMで入手可能となる。

本文書の目的は，赤外線吸収法によってSI GaAs内の深いドナーEL2の濃度を測定する方法を指定することである。

Referenced SEMI Standards

SEMI M39 — Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Semi-Insulating GaAs Single Crystals

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