SEMI M67 - 測定した厚さデータ配列からESFQR,ESFQD,ESBIR METRICS法を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は200994日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。200910月にwww.semi.orgで,そして200911月にCD-ROMで入手可能となる。初版は200611月発行,前版は200811月に発行された。

 

 

ウェーハエッジ近傍形状は半導体素子工程の歩留に大きく影響する。

 

エッジ近傍の幾何学的特性情報は製造者や消費者がウェーハの寸法特性が与えられた幾何学的要求を満たしているかどうか決定することを手助けできる。

 

この作業法は半導体素子工程で使われるウェーハのエッジ近傍形状の平坦性状況を定量化するのに適している。

 

ESFQRESFQDまたはESBIR metric法はSFQRSFQDまたはSBIRのような従来法よりもエッジ近傍形状の平坦性状況を定量化するのに更に適している。ESFQRESFQDESBIRは故意に除外された領域を除くウェーハエッジ上のすべての角度位置で充分にかつ矛盾なくエッジ近傍形状を定量化する。一方,SFQRSFQD,は異なる角度位置で異なった処理をし,多くの場合はウェーハエッジの全領域をカバーしていない。

 

エッジ近傍形状評価法は,材料購入仕様に使うよりむしろ,プロセスを管理するツールとして使うことに留意すべきである。

 

他にもエッジ近傍形状評価法があり,ZDD ROA PSFQRのような他の概念を定量化するものもある。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology
SEMI M68 — Practice for Determining Wafer Near-Edge Geometry from a Measured Height Data Array Using a Curvature Metric, ZDD
SEMI M69 (Preliminary) — Practice for Determining Wafer Near-Edge Geometry Using Roll-Off Amount, ROA
SEMI M70 — Practice for Determining Wafer-Near-Edge Geometry Using Partial Wafer Site Flatness
SEMI MF1530 — Test Method for Measuring Flatness, Thickness, and Total Thickness Variation on Silicon Wafers by Automated Non-Contact Scanning

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