SEMI M70 - パーシャルサイト平坦度を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract

本スタンダードは,global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は200994日,global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。200910月にwww.semi.orgで,そして200911月にCD-ROMで入手可能となる。初版は20073月発行,前版は200811月に発行された。

 

ウェーハエッジ近傍形状は半導体デバイス工程の歩留りに大きく影響する。

 

エッジ近傍の幾何学的特性情報は製造者や消費者がウェーハの寸法特性が与えられた幾何学的要求を満たしているかどうか決定することを手助けできる。

 

本作業方法は,半導体デバイス工程で使われるウェーハのエッジ近傍形状を定量化するのに適している。

 

PSFQR または PSFQD法は,ウェーハエッジの大半をカバーするサイトパターンを採用した場合に,ウェーハエッジ近傍形状を定量化するのに適している。

 

平坦度指標は確立された指標であり,それゆえパーシャルサイト平坦度はエッジプロファイルについての材料取引仕様として,また,プロセス管理の手段として利用できる。

 

エッジプロファイルの特定の特性を定量化するには他の指標(例えば,ZDDESFQRROA)もある。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M49 — Guide for Specifying Geometry Measurement Systems for Silicon Wafers for the 130 nm to 22 nm Technology Generation

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