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SEMI PV17 - PV応用のための未使用シリコン供給原材料に関する仕様 -
Abstract
本スタンダードは，global Photovoltaic Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2012年8月30日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2012年10月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は2011年6月発行。前版は2012年3月発行。
シリコンは成長している太陽光発電 (PV) 産業の基幹材料の一つである。シリコンからできている太陽電池は長年に亘って製造されるであろう。シリコン供給原材料の供給あるいは購入の新規部隊がこの産業に参入してきている。
より多くの量とより原価効率の良いシリコン供給原料の必要性が冶金学的精製法の開発を誘発した。加えて，原形のシーメンス法を変形した新方式が開発され大量生産に導入された。精製法の開発に平行して，それぞれが特長ある材料特性を要求する幅広い多様な結晶化技術と太陽電池設計が産業界や研究組織によって調査された。供給原材料品質，単結晶と多結晶インゴット，最終的な太陽電池性能との全ての関連を記述するためには多次元の要素空間が必要とされる。これらは供給者と顧客間の関係を阻害する，多量かつ高成長産業に対して適切でない多くの相互間問題を発生している。
シリコン供給原材料に対する標準化された，太陽電池のインゴットの信頼性ある製造を可能にし全ての関係者の利益になる，規格はこれらの相互間問題を軽減し材料特性と用語の共通理解を可能にすることが期待される。
この規格はCVD法，冶金学的精製法あるいはその他の方法により製造された未使用シリコン供給原材料に亘る。CVD法はいわゆるシーメンス法，流動床法，粉末法そして蒸留法シランまたはハロゲン化シラン化合物を使ったその他の方法を含む。
これらの規格化された材料は，太陽電池向けのシリコンウェーハを製造するために使われる単結晶インゴット成長やキャスティングあるいは多結晶シリコン成長の他の方法に対して向けられている。
この規格は非晶質または微小形態シリコン生成物のような薄膜太陽製品の製造に使う材料に向けられていないが，もし特定の応用に適切ならば使えるであろう。
この規格は未使用シリコン供給原材料へだけの応用で，解体物あるいは半導体産業からの廃棄物への応用ではない。
この規格はまた，混合された材料からの熔融物に対するガイドラインとして使われるかもしれないが，混合材料を規定することを意図していない。
Referenced SEMI Standards
SEMI M44 –– Guide to Conversion Factors for Interstitial Oxygen in Silicon
SEMI MF28 –– Test Method for Minority Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay
SEMI MF84 –– Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe
SEMI MF391 –– Test Method for Minority Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconductors by Measurement of Steady-State Surface Photovoltage
SEMI MF397 –– Test Method for Resistivity of Silicon Bars Using a Two-Point Probe
SEMI MF723 –– Practice for Conversion between Resistivity and Dopant or Carrier Density for Boron-Doped, Phosphorous-Doped, and Arsenic-Doped Silicon
SEMI MF1188 –– Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption with Short Baseline
SEMI MF1389 –– Test Method for Photoluminescence Analysis of Single Crystal Silicon for III-V Impurities
SEMI MF1391 –– Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption
SEMI MF1528 — Test Method for Measuring Boron Contamination in Heavily Doped n-Type Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry
SEMI MF1535 –– Test Method for Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers by Noncontact Measurement of Photoconductivity Decay by Microwave Reflectance
SEMI MF1630 –– Test Method for Low Temperature FTIR Analysis of Single Crystal Silicon for III-V Impurities
SEMI MF1708 –– Practice for Evaluation of Granular Polysilicon by Melter-zoner Spectroscopies
SEMI MF1723 –– Practice for Evaluation of Polycrystalline Silicon Rods by Float-zone Crystal Growth and Spectroscopy
SEMI PV1 — Test Method for Measuring Trace Elements in Silicon Feedstock for Silicon Solar Cells by High-Mass Resolution Glow Discharge Mass Spectrometry
SEMI PV10 — Test Method for Instrumental Neutron Activation Analysis (INAA) of Silicon
SEMI PV25 — Test Method for Simultaneously Measuring Oxygen, Carbon, Boron and Phosphorous in Solar Silicon Wafers and Feedstock by Secondary Ion Mass Spectrometry
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